Schaltungstechnik für Galliumnitrid-Bauelemente in der Leistungselektronik. Insbesondere die Anlagen zur Herstellung von Galliumnitrid-Leistungselektronik, zur Herstellung von Bauteilen für den 5G-Netzausbau und für die … Angesichts eines geschätzten Marktvolumens von 200 Mio. April 2021 - Die AIXTRON SE (FSE: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) ist gut ins neue Geschäftsjahr 2021 gestartet. Um die Transistoren bei Auftritt eines Kurzschlusses vor der Zerstörung zu schützen ist eine geeignete Kurzschlussüberwachung nötig. Das weltweit zu den führenden Anbietern von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie gehörende Unternehmen hat … Eine weiterer wichtiger Umsatzträger waren Systeme zur Herstellung energieeffizienter Leistungselektronik auf Basis der Halbleiter Galliumnitrid und Siliziumkarbid. Galliumnitrid. Nach dem Studium der Elektrotechnik mit Fachrichtung Automatisierung und dem anschließenden Studium der Mikro- und Leistungselektronik konnte ich über viele Jahre in unterschiedlichen Branchen und Projekten als Hardware-Entwickler Berufs- und … 1 Rolle des Standortes als Lieferant von Leistungselektronik wird in Zukunft wachsen, meinen Branchenvertreter. BMBF gefördertes Projekt HELENE (Hocheffiziente, langlebige und kompakte Leistungselektronik mit Galliumnitrid-Bauelementen für die Elektromobilität der Zukunft) Die Leistungselektronik ist eine Schlüsseltechnologie für die Energieeffizienz. Die Technologieplattform Leistungselektronik bietet fundierte Kenntnisse in der Materialforschung und Verarbeitung von Halbleitern mit großer Bandlücke (WBG) wie Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN). Dies wird zu einer neuen Generation dicht integrierter Leistungselektronik führen, die preiswerte und zuverlässige Systeme für energieintensive Anwendungen ermöglicht. Einen weiteren hohen Umsatzanteil steuerten die Anlagen vor allem für die Leistungselektronik bei (30%), hier insbesondere die Anlagen für Galliumnitrid-Anwendungen. So ermöglicht der Halbleiter eine signifikant höhere … Damit sich Fahrzeuge mit Elektroantrieb langfristig durchsetzen können, müssen die Lademöglichkeiten flexibler werden. Das Bruttoergebnis des 1. Das gilt sogar dann, wenn selbstleitende Schalter leistungsstärker wären. Monolithisch integrierte Halbbrückenschaltung des Fraunhofer IAF. Galliumnitrid-Leistungselektronik nachgefragt. Gleichzeitig nutzten die Wissenschaftler und Praktiker aus aller Welt die Gelegenheit, sich über jüngste Entwicklungen auszutauschen. Auf Galliumnitrid basierende Leistungshalbleiter finden in der modernen Leistungselektronik zunehmend Anwendung. Neues EU-Projekt GaNonCMOS bringt Galliumnitrid in die Leistungselektronik. Einen weiteren hohen Umsatzanteil steuerten die Anlagen vor allem für die Leistungselektronik bei (30%), hier insbesondere die Anlagen für Galliumnitrid-Anwendungen. Elektromechanik. Bei der Leistungselektronik für die 48-V-Klasse kommen immer öfter Leistungstransistoren auf Basis des Halbleitermaterials Galliumnitrid (GaN) zum Einsatz. Er … Das Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF) fördert im Rahmen dieser Förderrichtlinie Innovationen in der Leistungselektronik auf Basis von Halbleitermaterialien mit großer Bandlücke, den sogenannten Wide-Bandgap-(WBG-)Halbleitern Siliziumcarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN), sowie in der höchstintegrierten siliziumbasierten Leistungselektronik. Funktionale Halbleiterstrukturen basierend auf Materialien mit großer Bandlücke wie Scandiumaluminiumnitrid (ScAlN) und Galliumnitrid (GaN) besitzen hervorragende elektronische Eigenschaften für die zukünftige Leistungselektronik. (Geschäftsfeldleiter Leistungselektronik) Telefon +49 761 5159-843 ruediger.quay@iaf.fraunhofer.de www.iaf.fraunhofer.de Der Einsatz des Halbleiters Galliumnitrid steigert die Effizienz und spart deutlich Energie. Sie ermöglichen aber auch ganz neue Bauelemente in der Leistungselektronik. Passive Bauelemente. Dabei sind insbesondere AIXTRONs Anlagen zur Herstellung von Galliumnitrid-Leistungselektronik, zur Herstellung von Bauteilen für den 5G-Netzausbau und für die schnelle optische Datenübertragung gefragt. Bereits seit 2019 wächst der Markt für das 5G-Netz dabei stetig, was an der Nutzbarkeit dieses liegt. Galliumnitrid (GaN) als eine Alternative Mit dem Einsatz des Halbleiters Galliumnitrid (GaN) in der Leistungselektronik konnten bereits viele Limitierungen der Siliziumtechnologie überwunden werden. Galliumnitrid hat gegenüber Silizium einen entscheidenden Vorteil: Es hat einen hohen Bandabstand von 3,4 Elektronenvolt gegenüber 1,1 Elektronenvolt bei Silizium. Silizium ist das klassische Material für elektronische Bauteile. Der Optimismus des Managements überzeugte auch die Anleger. Hochmoderne Leistungstransistoren auf Basis von Galliumnitrid (GaN) ermöglichen es, leistungselektronische Schaltungen mit wesentlich höheren Schaltfrequenzen zu betreiben als mit herkömmlichen, auf Silizium (Si) basierenden Transistoren. Halbjahres 2021 übertraf mit 45,2 Mio. Das Geschäftsfeld Leistungselektronik des Fraunhofer ISIT entwickelt und fertigt innovative aktive und passive Leistungshalbleiterbauelemente auf Basis von Silizium und Galliumnitrid, entwickelt daraus leistungselektronische Systeme und integriert diese mit leistungsfähigen Batteriespeichern für Spezialanwendungen zu Hochleistungsspeichersystemen. Allein mit der Einführung effizienter Leistungselektronik in den Bereichen der Erzeugung regenerativer Energien sowie der Automobilelektronik können bisher nicht genutzte Einsparpotenziale von 20% bis 35% erschlossen werden. Sie kommt vor allem in Branchen zum Einsatz, in denen Deutschland besondere Stärken hat: etwa in der Automobilindustrie, … Bis heute 21 Jahre und 7 Monate, seit 2000. Der höhere Auftragseingang zeige, dass der starke Trend insbesondere bei Galliumnitrid-basierten Anwendungen weiter dynamisch sei, schrieb Analyst Armin Krenser von der DZ Bank. Das neue EU-Projekt GaNonCMOS zielt darauf ab, GaN-basierte Materialien, Geräte und Systeme auf den nächsten Level zu heben. Laser für die optische Datenkommunikation und 3D-Sensorik verbreiten sich durch die Vernetzung der Welt und durch die künstliche Intelligenz in Windeseile. Siliciumcarbid und Galliumnitrid Halbleiter gewähren bessere Resultate in der Leistungselektronik als die traditionellen Silicium-basierenden Designs. Dadurch ist es möglich, GaN-Transistoren bei höheren Temperaturen zu betreiben. Technischer Redakteur. Bild 1: Induktivitäten für einen einphasigen 5 kW Fotovoltaik-Wechselrichter bei unterschiedlichen Schaltfrequenzen. Sie nutzen unter anderem Silizium-MOSFETs und SiC-Schottky-Dioden. Der Grund dafür ist folgender: Es ist deutlich schwieriger, bei selbstleitenden Transistoren den Strom … Elektronische Systeme sollen mehr leisten und zugleich weniger Energie benötigen. Elektronische Bauteile auf Basis von Galliumnitrid sind aufgrund der physikalischen Eigenschaften des Halbleiters energieeffizienter, leistungsfähiger und mit weniger Kühlaufwand zu betreiben als die herkömmlich eingesetzten Silizium-Komponenten. Effiziente Leistungselektronik aus Galliumnitrid trägt bereits jetzt dazu bei, z.B. Leistungshalbleiter. Leistungselektronik Prof. Dr. Holger Kapels Telefon +49 (0) 4821 17-4302 holger.kapels@isit.fraunhofer.de KONTAKT Fraunhofer-Institut für Siliziumtechnologie ISIT Fraunhoferstraße 1 D-25524 Itzehoe Telefon +49 (0) 4821 / 17-4222 Fax +49 (0) 4821 / 17-4250 info@isit.fraunhofer.de www.isit.fraunhofer.de Hocheffi ziente Leistungstransistoren GaN besitzt im Vergleich zu Silizium deutlich bessere … Hohe Auftragsdynamik insbesondere bei GaN-Leistungselektronik Aufträge und Umsätze am oberen Ende der Prognose, EBIT-Prognose erhöht . Server in Datencentern vor Überhitzung zu bewahren und so aufwändige Kühlsysteme und deren Kosten zu reduzieren. Leistungselektronik auf Galliumnitrid-Basis kann Energieverluste beim Laden von Elektroautos verringern. 09.12.2009 12:43 – Silizium ist das klassische Material für elektronische Bauteile. Galliumnitrid … Da sich die Produktionskosten von GaN Halbleitern mittlerweile in einem auch für konservative Entwickler … Der Aktienkurs schnellte am Vormittag auf 23,20 Euro nach oben, zuletzt führten die Papiere den Index der … Mit dem Einsatz des Halbleiters Galliumnitrid (GaN) in der Leistungselektronik konnten bereits viele Limitierungen der Siliziumtechnologie überwunden werden. Als nächsten Entwicklungsschritt wurden GaN-auf-Si-Transistoren mit 600 V bis 650 V angekündigt. Die Basis hierfür ist das Halbleitermaterial Galliumnitrid. … Er … Das Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF forscht seit mehreren Jahren an der monolithischen Integration für die Leistungselektronik. Wafer aus Galliumnitrid sollen bis 2018 im Rahmen des Projekts PowerBase produziert werden. Aufgrund ihrer physikalischen Eigenschaften sind sie den gebräuchlichen Silicium Transistoren in vielen Anwendungsbereichen überlegen. Galliumnitrid: Bisher kleinstes Notebook-Netzteil entwickelt. Galliumnitrid oder Siliziumkarbid Seit über 50 Jahren ist Silizium (Si) der Baustoff von Leistungstransistoren, stößt aber mittlerweile an seine physikalischen Grenzen. US-$ im Jahr 2020 und einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate von 80% bis 2020 haben sich viele neue Akteure in … Galliumnitrid-Transistoren machen Hochfrequenz-Leistungselektronik effizienter und kompakter Anwendungen in Luftfahrt- und Kommunikationselektronik Hochmoderne Leistungstransistoren auf Basis von Galliumnitrid (GaN) ermöglichen es, leistungselektronische Schaltungen mit wesentlich höheren Schaltfrequenzen zu betreiben als mit herkömmlichen, auf Silizium (Si) basierenden Transistoren. Ziele im KMU-innovativ-Projekt GaNScan sind die Erforschung und Entwicklung elektrischer Mess- und Kartografieverfahren für Galliumnitrid (GaN)-basierte Bauelemente auf Silizium (Si)-Wafern (GaN/Si), die Untersuchung von Alterungseffekten und deren erstmalige Komplettmodellierung im GaN-Bauelement. Ein Ziel, welches sich beispielsweise Hersteller von Elektromobilen gesetzt haben. Bei sehr hohen Spannungen, Temperaturen und Schaltfrequenzen weist GaN eine größere Leistungsfähigkeit als Silizium auf. Posted: December 9, 2009: Galliumnitrid - das neue Material der Leistungselektronik (Nanowerk News) Silizium ist das klassische Material für elektronische Bauteile.Wissenschaftler des Ferdinand-Braun-Instituts entwickeln nun Leistungstransistoren aus Galliumnitrid, die robuster, schneller und effizienter sind. Damit sich eine neue Technologie am bestehenden Markt behaupten bzw. Euro den Bruttogewinn der Vorjahresperiode (37,5 Mio. Berufserfahrung von Ralf Higgelke. Aber auch im Alltag beweist modernste Leistungselektronik ihren Nutzen. Nun soll mit zukunftsweisenden Materialtechnologien im Forschungs- und Entwicklungsprojekt »Zukünftige effiziente Energiewandlung mit Galliumnitrid-basierter Leistungselektronik der nächsten Generation« (ZuGaNG) eine neue Produktgeneration für die Leistungselektronik realisiert werden. Herzogenrath, 29. Bessere Halbleiter für Leistungselektronik: Immer mehr Transistoren nutzen Galliumnitrid statt Silizium. WEKA FACHMEDIEN GmbH. Nachrichten zum Thema 'Galliumnitrid-Transistoren machen Hochfrequenz-Leistungselektronik effizienter und kompakter' lesen Sie kostenlos auf JuraForum.de! Leistungselektronik auf Basis von Galliumnitrid und Siliziumkarbid ermöglicht Energieeinsparungen in den Bereichen IT-Infrastruktur, Elektromobilität und Unterhaltungselektronik. Wir bieten Ihnen eine spannende Werkstudierendentätigkeit im … Bei sehr hohen Spannungen, Temperaturen und Schaltfrequenzen weist GaN eine größere Leistungsfähigkeit als Silizium auf. Die elektronischen Bauteile und Systeme sind kleiner, leistungsfähiger und kostengünstiger als die bislang eingesetzten Lösungen. FRANKFURT (dpa-AFX Broker) - Mit hohem Kurszuwachs haben die Anleger am Donnerstag die gute Geschäftsentwicklung von Aixtron (AIXTRON SE) honoriert und den Optimismus des Managements geteilt. Kundenspezifische Leistungselektronik flexibel und energieeffizient herstellen ©TU München . Volumen und Gewicht sind in etwa umgekehrt proportional zur Frequenz (Quelle Fraunhofer ISE). Sie erhöht die Reichweite von Elektrofahrzeugen um rund 20% und reduziert die Ladezeiten deutlich. Die Partner im Galliumnitrid Zentrum Sachsen gehen nun einen Schritt weiter und arbeiten an freistehenden Galliumnitrid-Wafern ohne Trägermaterial. Green Economy: Forschung an hocheffizienter Leistungselektronik auf Basis von GaN. Aber auch im Alltag beweist modernste Leistungselektronik ihren Nutzen. Nachdem Galliumnitrid erstmalig vor 20 Jahren als Transistor genutzt wurde und seit über einer Dekade serienmäßig in der Hochfrequenztechnik eingesetzt wird, erobert es nun die Mainstream-Leistungselektronik. Dieser … Der Wide-Bandgap Halbleiter GaN (Galliumnitrid) steht zwar erst seit 2010 als Grundlage für Leistungsbauelemente in der Leistungselektronik zur kommerziellen Nutzung zur Verfügung, dennoch konnten hierdurch bereits eine Vielzahl von neuen Anwendungen realisiert werden. um 1930 zum ersten Mal synthetisiert und 1969 von Maruska und Tietjen erstmals mittels Hydridgasphasenepitaxie Dadurch ist es möglich, GaN-Transistoren bei höheren Temperaturen zu betreiben. Leistungsstärkere Halbleitermaterialien sind die Voraussetzung für den Elektronikmarkt der Zukunft allgemein und im Besonderen für die Leistungselektronik. Jetzt liefert er den ersten eGaN-Baustein einer weiteren Serie integrierter … „Durch Galliumnitrid gewinnt man einen Freiheitsgrad hinzu“ Seit zehn Jahren werden auf der PCIM Europe Konferenz herausragende Erstveröffentlichungen junger Ingenieure aus der Leistungselektronik mit dem Young Engineer Award ausgezeichnet. 16.07.2021. Dabei sorgen neue Materialien wie Siliziumkarbid und Galliumnitrid für neue Einsatzmöglichkeiten, z. Trends und Wandel in der Energieversorgung oder der Industrie bringen neue Anforderungen an die Bauteile mit sich. Das Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik (IAF) hat nun einen besonders kompakten und effizienten Drei-Phasen-Motorinverter IC auf GaN-Basis entwickelt. Leistungselektronik. Sie werden beispielsweise für das schnelle Laden der Akkus von Mobilgeräten wie Smartphones und im Antriebsstrang für Elektroautos eingesetzt. Der höhere Auftragseingang zeige, dass der starke Trend insbesondere bei Galliumnitrid-basierten Anwendungen weiter dynamisch sei, schrieb Analyst Armin Krenser von der DZ Bank. Dafür entwickeln sie neue Produkte, die ab 2026 in Serie gehen sollen. Lidow: Galliumnitrid leitet Elektronen sehr gut mithilfe des zweidimensionalen Elektronengases [kurz: 2DEG, Anm. Das Bruttoergebnis des 1. Posted: December 9, 2009: Galliumnitrid - das neue Material der Leistungselektronik (Nanowerk News) Silizium ist das klassische Material für elektronische Bauteile.Wissenschaftler des Ferdinand-Braun-Instituts entwickeln nun Leistungstransistoren aus Galliumnitrid, die robuster, schneller und effizienter sind. Halbjahres 2021 übertraf mit 45,2 Mio. Einen weiteren hohen Umsatzanteil steuerten die Anlagen vor allem für die Leistungselektronik bei (30%), hier insbesondere die Anlagen für Galliumnitrid-Anwendungen. Effiziente Leistungselektronik aus Galliumnitrid trägt bereits jetzt dazu bei, z.B. Für dieses werden, laut Felix Grawert, insbesondere Teile aus der Galliumnitrid-Leistungselektronik benötigt, deren Herstellung sich Aixtron widmet. Firma zum Thema STMicroelectronics Renault und ST … Unter der Projektleitung des … Für die monolithische Integration nutzt das Forscherteam das Halbleitermaterial Galliumnitrid, das auf Siliciumsubstrat abgeschieden wurde (GaN-on-Si). Einen weiteren hohen Umsatzanteil steuerten die Anlagen vor allem für die Leistungselektronik bei (30%), hier insbesondere die Anlagen für Galliumnitrid-Anwendungen. Zudem trugen Systeme zur Herstellung energieeffizienter Leistungselektronik auf Basis der Halbleiter Galliumnitrid und Siliziumkarbid zum Umsatzwachstum … Kondensatoren und Widerstände. GaNonCMOS | Effiziente Leistungselektronik mit Galliumnitrid Published on September 26, 2017 September 26, 2017 • 0 Likes • 0 Comments. 4.1 Ähnliche Beiträge Die Technologieplattform Leistungselektronik bietet fundierte Kenntnisse in der Materialforschung und Verarbeitung von Halbleitern mit großer Bandlücke (WBG) wie Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN). Ohne eine effiziente Löcherleitung lassen sich keine CMOS-ähnlichen Schaltungen integrieren, das ist offenkundig. Eine schnelle Datenübertragung im Bereich des Mobilfunks, die auch optisch effizient arbeitet, wird immer wichtiger und dies bedient das …
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